Étude de la diffusion de l'hydrogène dans le silicium : interactions avec les impuretés

par Abdelhamid Chari

Thèse de doctorat en Chimie

Sous la direction de Marc Aucouturier.

Soutenue en 1988

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Ce travail concerne le comportement physico-chimique de l’hydrogène dans le silicium. Dans une première partie, nous avons décrit par des techniques de mesure électrique l’interaction entre l’hydrogène et les dopants. Nous avons observé que l'hydrogène désactivait une proportion importante des accepteurs peu profonds dans le silicium. L'étude du comportement en diffusion de l’hydrogène dans le silicium montre que le processus de diffusion dépend fortement du type de conductivité et surtout du taux de dopape. Les mesures d'absorption infrarouge ont montré que l’hydrogène formé de complexe (Si H---B) neutre dans lequel la liaison de l’hydrogène se fait principalement avec le bore. La deuxième partie de ce travail concerne l'activité électrique du joint de flexion symétrique Σ=25 du silicium. Brut de croissance, ce joint est inactif. Il devient actif à la suite de traitements thermiques adéquats. Cette activité électrique a été corrélée à la présence de cuivre ségrégé ou précipité dans le joint. La passivation par l’hydrogène de cette activité électrique est sélective.

  • Titre traduit

    Hydrogen diffusion into silicon


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Informations

  • Détails : 1 vol. (184 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 178-184

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1988)297
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-035146
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