Étude par résonance magnétique nucléaire du donneur, de la transition métal-isolant dans le silicium dopé au phosphore

par Pascal Dellouve

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Henri Alloul.

Soutenue en 1988

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Nous rapportons les premières observations expérimentales des spectres RMN du Phosphore dans le semi-conducteur Si:P au voisinage de la concentration nc de la transition métal-isolant. Ces mesures nous permettent d'en déduire la répartition de l'aimantation électronique dans le milieu. Dans le régime métallique, une perte progressive du signal apparaît lorsque l'on se rapproche de nc. La susceptibilité des électrons couplés aux sites observés suit une loi de Pauli, et la relaxation nucléaire à un comportement de Korringa. La comparaison avec les résultats de RPE montre que pour des concentrations inférieures à 3 nc, la dépendance en température de la susceptibilité macroscopique est associée à des moments électroniques localisés, qui coexistent avec les électrons faiblement corrélés de la bande de conduction. Dans le régime isolant pour T = 4,2 K, nous observons encore quelques sites de Phosphore, correspondant à de faibles déplacements de la fréquence de résonance, ce qui montre que la distribution de l'aimantation a encore un caractère très inhomogène.

  • Titre traduit

    Phosphorus nuclear magnetic resonance of the metal insulator transition in doped silicon


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Informations

  • Détails : 1 vol. (142 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 139-142

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1988)23
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-034873
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