Etude photoelectrochimique des alliages cuin::(1-x)ga::(x)se::(2) : relation entre les proprietesphotovoltaiques des couches minces de cugase::(2) et leur composition

Photoelectrochemical study of cuin::(1-x)ga::(x)se::(2) alloys. Relationship between the photovoltaic properties of cugase::(2) thin films and their composition

• Auteur / Autrice : John Kessler
• Direction : JACQUES VEDEL
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Paris 7

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes electriques, magnetiques, optiques

Etude experimentale

Niveau energie

Bande interdite

Composition chimique

Solution solide

Couche mince

Diffusion

Longueur diffusion

Photoconductivite

Composition non stoechiometrique

Interface electrolyte semiconducteur

Structure chalcopyrite

Compose mineral

Metal transition compose

Semiconducteur

Effet photovoltaique

Photoelectrochimie

Cuivre gallium indium seleniure mixte

Conversion photovoltaique

Experimental study

Energy level

Energy gap

Chemical composition

Solid solution

Thin film

Diffusion

Diffusion length

Photoconductivity

Non stoichiometric composition

Semiconductor electrolyte interface

Chalcopyrite structure

Inorganic compound

Transition metal compounds

Semiconductor materials

Photovoltaic effect

Photoelectrochemistry

Copper gallium indium selenides mixed

Résumé

L'etude des echantillons massifs de cuin::(1-x)ga::(x)se::(2) de type p permet de mettre au point la solution electrolytique acide en presence du couple redix v**(2+/3+). Etude des positions energetiques des bandes par mesures capacitives. Etude de la variation de la bande interdite en fonction de x et mesure des longueurs de diffusion par l'evolution du photocourant en fonction du potentiel. Etude des proprietes optiques et electroniques des couches minces cugase::(2) de type p en fonction des ecarts a la stoechiometrie