Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures gaas/gaalas pour transistors bipolaires

par Jean-Christophe Harmand

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de GILLES DE ROSNY.

Soutenue en 1988

à Paris 7 .


  • Résumé

    Ce travail concerne la fabrication de couches de semiconducteurs iii-v et la realisation de structures pour transistors bipolaires a heterojonction. Ces structures font appel aux composes gaas, gaalas et gainas elabores par epitaxie par jets moleculaires. On etudie l'influence des conditions de croissance sur les caracteristiques des materiaux et notamment l'evolution des coefficients de collage des elements iii et la pression minimale d'arsenic necessaire a la croissance. On tente de modeliser les resultats experimentaux par une approche thermodynamique de l'epitaxie par jets moleculaires. On analyse les caracteristiques electriques des transistors en regime statique

  • Titre traduit

    Ability of molecular beam epitaxy in gaas/gaalas heterostructure growth for bipolar transistors


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  • Détails : 1 vol. (256 P.)
  • Annexes : 173 REF

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  • Cote : TS1988

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