Etude par technique spectroscopique de capacite transitoire des defauts a l'interface semiconducteur-isolant

par Hacène Lakhdari

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de C. BONNELLE.

Soutenue en 1988

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Explication du comportement inhabituel de certaines structures mos en dlts (non-saturation du spectre dlts pour un remplissage total de la densite d'etats d'interface) par une interaction par effet tunnel entre les porteurs libres du semiconducteur et les defauts des premieres couches d'oxyde (etats lents). Etude de la degradation des interfaces si-sio::(2) sous injection d'electrons chauds en comparant la cinetique de creation des etats lents et rapides. Etude des defauts induits par plasma ionique reactif


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Informations

  • Détails : 201 P.
  • Annexes : 120 REF

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  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1988
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