Etude de la densite des etats localises dans le silicium amorphe hydrogene (intrinseque ou dope) a partir de la mesure d'admittance de diodes schottky en regime quasi-stationnaire

par Nadjib Hassani

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Joseph Baixeras.

Soutenue en 1988

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    A partir des mesures de la capacite et de la conductance en fonction de la temperature et de la frequence, on determine la densite d'etats localises au niveau de fermi et la section efficace de capture des electrons. L'evolution de la section efficace de capture en fonction de la temperature permet d'ecarter le mecanisme de l'emission multiphononique avec faible couplage comme processus de capture pouvant exister dans le materiau a-si:h elabore par pulverisation cathodique


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  • Annexes : 46 REF

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
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  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1988
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