Etude photoelectrochimique de gaas(n) et si(n) en milieu non aqueux ch::(3)oh et ch::(3)cn : etude et realisation de cellules photoelectrochimiques minces

par Noureddine Gabouze

Thèse de doctorat en CHIMIE

Sous la direction de Rioux.

Soutenue en 1988

à Paris 6 .

mots clés

• Chimie
• Chimie generale et physique
• Reaction photoelectrochimique
• Jonction liquide
• Interface electrode electrolyte
• Semiconducteur
• Conductivite type n
• Silicium|act
• Gallium arseniure|act
• Solution non aqueuse
• Solvant organique
• Densite courant
• Etude theorique
• Etude experimentale
• Methanol|sub
• Acetonitrile. Sub
• Photoelectrochemical reaction
• Liquid junction
• Electrode electrolyte interface
• Semiconductor materials
• N type conductivity
• Silicon
• Gallium arsenides
• Non aqueous solution
• Organic solvent
• Current density
• Theoretical study
• Experimental study

Résumé

L'etude electrochimique et photoelectrochimique des jonctions semiconducteur-electrolyte non aqueux (ch::(3)oh et ch::(3)cn) de gaas et si permet de mettre en evidence les proprietes de surface de ces materiaux. Realisations des cellules minces (pec), gaas(ch::(3)oh)sno::(2) montrent des rendements de conversion de l'ordre de 12 a 13%

Titre traduit

Photoelectrochemical study of n-gaas and n-si in ch::(3)oh and ch::(3)cn electrolyte. Study and realization of photoelectrochemicals thin cells

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