Etude des effets de la temperature sur la diffraction des rayons x par des composes semiconducteurs iii-v

par Laurent Allain

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean-François Pétroff.

Soutenue en 1988

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Determination par diffraction rx haute resolution des parametres cristallins de couches epitaxiques de gaalas ou gainas deposees sur les supports si, ge, ga, as, gap, inp et inas, en fonction de la temperature. Les coefficients de dilatation sont determines sur des materiaux relaxes et une extrapolation a d'autres systemes est possible. L'accord parametrique pour gaalas est realise a une temperature superieure a la temperature de depot et pour gainas, cet accord est realise a une temperature de depot dependant du taux de substitution ga/in


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Informations

  • Détails : 204 P.
  • Annexes : 90 REF

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  • Bibliothèque : Université de technologie de Belfort-Montbéliard. Bibliothèque.
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  • Cote : THESE 88 ALL
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1988
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