Propriétés physiques des structures métal/isolant/semiconducteur réalisées sur INP(N) à l'aide d'un oxyde natif plasma

par Benachir Bouchikhi

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Serge Ravelet.

Soutenue en 1988

à Nancy 1 , en partenariat avec Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .


  • Résumé

    On aborde 3 aspects : la passivation du phosphorure d'indium dans un plasma RF d'oxygène, la caractérisation électrique des structures MIS élaborées à l'aide des mesures (C-V), (G-V) et d'autres mesures de spectrométries de niveaux profonds (DLTS-DDLTS), et l'élaboration du schéma équivalent de la structure MIS

  • Titre traduit

    Physical properties of mis structures realized on INP(N) with a plasma native oxide


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Informations

  • Détails : 1 vol. (272 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 272

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  • Bibliothèque : Université de Lorraine (Villers-lès-Nancy, Meurthe-et-Moselle). Direction de la Documentation et de l'Edition - BU Sciences et Techniques.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : SC N1988 85
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