Etude de l'interface Cr/Si (111) par photoémission angulaire et diffraction d'électrons lents : épitaxie des siliciures Cr Si et Cr Si2 sur Si (111)

par Patrick Wetzel

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Gérard Gewinner.

Soutenue en 1988

à Mulhouse .


  • Résumé

    Etude de la structure électronique et cristallographique de l'interface métal-semiconducteur Cr/Si (111). Deux paramètres gouvernent essentiellement cette structure : le recouvrement de Cr et la température de recuit. Un processus de réaction à l'interface et de diffusion des atomes Si à travers le film métallique est mis en évidence à température ambiante. L'interface formée à haute température (350°C < T < 450°C) est caractérisée par la croissance de siliciures (CrSi, CrSi2) polycristallins, pour des recouvrements supérieurs à 30 monocouches de Cr et de siliciures monocristallins épitaxiques pour des recouvrements inférieurs


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  • Cote : Th 88 WET
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