Contribution à l'optimisation de l'interface Si3N4/Ga[subscript 0. 47]In[subscript 0. 53]As pour la réalisation de MISFETs à haute stabilité

par Joël Barrier

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Didier Stiévenard.

Soutenue en 1988

à Lille 1 .


  • Résumé

    Les auteurs ont étudié les propriétés électriques de l'interface Si(3)n(4)/GaInAs pour optimiser un procédé de fabrication des transistors MISFETs sur GaInAs. Afin de remédier aux problèmes de dérive du courant généralement observés. Sur ce type de dispositif, le procédé choisi se définit par trois points principaux : un système opérant sous ultravide, la désoxydation de la surface de GaInAs et le dépôt de nitrure de silicium par plasma multipolaire.

  • Titre traduit

    Contribution to Si(3)N(4)/Ga(0. 47)In(0. 53)As interface optimization for high stability MISFET fabrication


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Informations

  • Détails : 1 vol. (190 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 169-186. 169 réf.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1988-215
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