Modélisation et optimisation en vue de réalisations technologiques de M. E. S. F. E. T. Et de T. E. G. F. E. T. AlGaAs/GaAs

par Pascale Godts-Poubelle

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Eugène Constant.

Soutenue en 1988

à Lille 1 .


  • Résumé

    Une méthode de modélisation de transistor à effet de champ a été mise au point pour l'analyse de structures existantes, pour le contrôle de la technologie et la recherche de structures optimales en circuits integrés monolithiques hyperfréquence. Elle est utilisée pour définir une structure mesfet optimale ainsi que celle d'un tegfet en algaas/gaas.

  • Titre traduit

    Modeling and optimization in view of technological realizations of MESFET and TEGFET AlGaAs/GaAs


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Informations

  • Détails : 1 vol. (134 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. à la suite de chaque chapitre

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université de Lille. Service commun de la documentation. Lilliad Learning Center Innovation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1988-135

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  • Accessible pour le PEB
  • Cote : MF-1988-GOD
  • Bibliothèque : Université Paris-Est Créteil Val de Marne. Service commun de la documentation. Section multidisciplinaire.
  • PEB soumis à condition
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