Caractérisation de la formation des interfaces silicium-titane et silicium-siliciures de titane

par Xavier Wallart

Thèse de doctorat en Science des matériaux

Sous la direction de Gisèle Dalmai.

Soutenue en 1988

à Lille 1 .


  • Résumé

    Caractérisation sous ultra-vide par spectroscopies Auger et de pertes d'énergie, diffraction d'électrons lents et microscopie électronique. Il est montré que l'interface Ti-Si à 25°C n'est pas abrupte sauf en présence d'impuretés. Lors des recuits de films Ti, mise en évidence de l'importance de la diffusion aux joints de grain, de la structure polycristalline à petits grains des films obtenus et de la difficulté de fabriquer un film continu de TiSi2 de faible épaisseur dans sa phase de faible résistivité. Le dépôt de Ti sur Si chauffé (200-400°C) conduit à des croissances dont le caractère tridimensionnel augmente avec la température du support et à 400 °C, l'épitaxie locale de grains TiSi2 sur le support est observée. Cette méthode n'améliore ni la morphologie du film, ni la rugosité de l'interface : nécessité d'explorer d'autres procédures.

  • Titre traduit

    Characterization of the formation of silicon-titanium and silicon-titanium sillicides interfaces


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Informations

  • Détails : 1 vol. (157 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. à la suite de chaque chapitre

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1988-131
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