Contribution à l'étude des thyristors G. T. O. Symétriques : étude physique du mécanisme d'ouverture; relations entre performances et paramétres de structure

par Jean Gaubert

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Philippe Leturcq.

Soutenue en 1988

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Le mémoire est consacré à l'étude de l'ouverture des thyristors G. T. O. (gate-turn-off) symétriques. On prèsente d'abord un modèle numérique de l'ouverture des thyristors g. T. O. Qui rend compte de l'influence des paramètres de structure du composant ainsi que des interactions entre le composant et son environnement électrique. On utilise ensuite ce modèle pour analyser le mécanisme d'ouverture g. T. O. Et on évalue les performances de l'ouverture (pertes d'énergie dans le composant et temps de saturation). Enfin, on étudie l'influence des paramètres structuraux du composant (profil de diffusion et durée de vie des porteurs) toujours a l'aide du modèle, sur les performances d'ouverture


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (159 p.)
  • Annexes : 50 réf.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Blaise Pascal. Département de physique. Bibliothèque.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : E174
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1988/076/GAU
  • Bibliothèque :
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.