Proprietes cristallines et electroniques des depots de silicium lpcvd dopes in-situ (dopants bore et phosphore)

par Lydie Mercaderre

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Danielle Bielle-Daspet.

Soutenue en 1988

à Toulouse, INSA , en partenariat avec Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes L.A.A.S. (Toulouse) (laboratoire) .


  • Résumé

    Etude d'echantillons appartenant a trois series de depots (non dopes, dopes bore et dopes phosphore in-situ). Caracterisation de la structure cristalline par les techniques rheed, tem, raman, rugosite de surface. Consideration des proprietes optiques, electriques et physicochimiques. Existence d'une etroite correlation entre la microstructure fine et les proprietes electroniques des couches. Etude de l'aptitude des methodes optiques (reflectometrie, et plus particulierement ellipsometrie bi-angulaire) a la caracterisation des depots. Mise en evidence, vis a vis de ces proprietes, d'une part du comportement specifique des depots dopes bore in situ, et d'autre partm de l'existence de valeurs "seuil" de la temperature de depot, qui different suivant les couches considerees

  • Titre traduit

    Crystalline and electronical properties of in-situ doped lpcvd-silicon layers (boron and phosphorus doping)


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  • Détails : 154 P.
  • Annexes : 51 REF

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  • Cote : 1988/068/MER
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