Evaluation de l'homogeneite des couches actives realisees par implantation dans des substrats d'arseniure de gallium semi-isolant non dope

par Dominique Nguyen Ngoc

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 1988

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Cette these presente une technique de caracterisation des couches implantees dans de l'arseniure de gallium semi-isolant non dope qui mesure cartographiquement les parametres des transistors realises sur ces couches. Elle permet de donner des informations macroscopiques sur la reproductibilite et l'homogeneite de la technologie, y compris l'implantation ionique. On montre que les dispersions provenant de l'implantation masquent celles dues au substrat. Pour des donnees microscopiques, un deuxieme ensemble de caracterisation a ete concu dans le but de correler les repartitions et les distributions observees sur le semi-isolant; les fluctuations de tension seuil mesurees sur des transistors ne permettent pas de juger de la dependance avec les defauts dans le substrat


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Informations

  • Détails : 220 P.
  • Annexes : 92 REF.

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1988/059/NGU
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