Contribution à l’étude du phénomène de LATCH-UP dans les technologies CMOS

par Charles Leroux

Thèse de doctorat en Dispositif de l'électronique intégrée

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.


  • Résumé

    Ce travail traite de l'analyse du phénomène de latch-up dans les technologies CMOS. Ce phénomène est dû à la présence d'une structure PNPN parasite entre l'alimentation du s circuit et la masse, et cette structure est susceptible de passer de son état forte impédance habituel à un état faible impédance (quelques ohms). Cette étude s'est concrétisée par la mise au point d'une méthodologie de test qui permet d'identifier le phénomène. Un modèle analytique a été développé. Il prend en compte l'aspect tridimensionnel des résistances de cette structure, la forte injection et ses conséquences. ·Enfin, un nouvel élément a été introduit, il permet d'expliquer le maintien du phénomène. Ce modèle sans paramètre d'ajustement donne de bons résultats par rapport à l'expérience. Une stratégie d'optimisation des technologies, vis à vis du latch-up a été également définie. Elle s'est traduite par la réalisation d'un lot pour lequel des structures à faible distance d'isolation entre sources de transistors de type opposé (quatre microns), ont une tension de maintien supérieure à la tension d'alimentation (cinq volts).

  • Titre traduit

    = Contribution to the study of latchup phenomenon in CMOS technologies


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Informations

  • Détails : 1 vol. (219 p. - A20)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 199-219

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(1075)

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  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : MF-1988-LER
  • Bibliothèque : Université Paris-Est Créteil Val de Marne. Service commun de la documentation. Section multidisciplinaire.
  • PEB soumis à condition
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