Etude des proprietes electro-optiques de la structure oxyde/nitrure/oxyde (o. N. O. ) : application aux memoires "eprom" et "eeprom"

par HASSAN EL GHALBZOURI

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Bernard Balland.

Soutenue en 1988

à Villeurbanne, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le developpement de la microelectronique exige l'utilisation de nouveaux materiaux isolants. Nous nous sommes interesse a l'on-o (oxyde-nitrure oxyde) dont l'interet technologique est grand. Nous avons montre que ses proprietes dielectriques permettent d'envisager son utilisation pour differentes applications industrielles. Notre analyse de la reponse sous photoexcitation de structures test si-poly/onn-o/si-mono (ou si poly) met en evidence une tres grande efficacite de piegeage, d'ou un important effet memoire (application aux eprom, eeprom a grille flottante si#3n#4). L'on-o est egalement interessant comme isolant. En exploitant le comportement electrique de dispositifs de test si/on-o/si et m/on-o/si, nous avons etabli que la presence d'une couche de nitrure a une consequence tres benefique. Il est plus performant que sio#2 et pourrait etre un substitut avantageux de celui-ci en microelectronique olsi, si les divers parametres (technologiques et geometriques) sont optimises. Afin de demontrer l'interet de ce materiau on-o, quant a la fabrication des dispositifs memoires, nous l'avons etudie en tant que dielectrique interpoly. L'ensemble de nos resultats permet de definir la situation technologique la plus favorable pour obtenir des eprom ou eeprom a grande fiabilite


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  • Annexes : 85 REF

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