Etude par photoluminescence de niveaux accepteurs dans les ternaires ga : :(x)in::(1-x)as et in::(1-x)ga::(x)p pour applications en micro-opto-electronique

par Abdelkader Louati

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Guillot.

Soutenue en 1988

à Villeurbanne, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Caracterisation par photoluminescence d'accepteurs legers (hg, mg, be) et profond (fer) permettant l'obtention de materiaux de type p et semi-isolants respectivement. Observation de la luminescence interne de fe**(2+) dans ga::(0,47)in::(0,53)as dont la decomposition due au champ cristallin est identique a celui de fe**(2+) dans le binaire inp. Le nouveau simple accepteur fe**(2+/3+) a pu etre positionne par spectrometrie transitoire de niveau profond. Mise en evidence du niveau excite **(5)t::(2) du fe**(2+) dans la bande de conduction par l'observation d'une resonance tres marquee dans le spectre de photoionisation


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Informations

  • Détails : 135 P.
  • Annexes : 65 REF

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