Contribution a l'etude des defauts d'irradiation et du centre profonf el2 dans gaas et gaalas pour spectroscopie capacitive

par ALI BENCHERIFA

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Guillot.

Soutenue en 1988

à Villeurbanne, INSA .

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  • Résumé

    Etude du mecanisme de compensation du compose gaas. Identification et proprietes du niveau profond el2 dans gaas n et p et dans ga::(1)**(-x)al::(x)as. Les defauts profonds dans les materiaux gaas de type p ont egalement ete etudies. On a mis en evidence la creation d'un defaut ea1 presentant la meme signature thermique que el2. Il a ete egalement montre que el2 est cree par irradiation aux neutrons dans gaas type n. On a montre la presence de el2 dans gaas type p par spectrometrie transitoire de niveau profond a injection de minoritaires sur des disjonctions n**(+)p


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Informations

  • Détails : 126 P.
  • Annexes : 130 REF

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