Etude par microscopie électronique en transmission de semiconducteurs II-VI épitaxiés par jets moléculaires

par Léa Di Cioccio

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux. Métallurgie

Sous la direction de François Louchet.

Soutenue en 1988

à Grenoble INPG .

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  • Résumé

    Caracterisation par microscopie electronique en transmission des defauts cristallins presents dans les couches de cdte et cd::(x)hg::(1-x)te heteroepitaxiees par la technique de jet moleculaire. Pour une direction de croissance (111), les defauts dominants sont des macles de 1er ordre. Elles ont pu etre supprimees. Pour une direction de croissance (001), les couches de cd::(x)hg::(1-x)te contiennent des defauts pyramidaux de geometrie tres particuliere et que nous avons detaillee. Ces defauts sont generes a l'interface. Les nombreuses dislocations presentes dans les couches de cdte epitaxiees sur gaas(001) ont pu etre confinees dans la region d'interface par un empilement particulier de couches cdzn::(1-y)te


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  • Détails : 1 vol. (190 p.)

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  • Cote : TS 88/INPG/0110
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