Etude d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné et de leur stabilité par des mesures de courants thermostimulés dans des transistors couches minces

par Didier Gufflet

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de PIERRE GENTIL.

Soutenue en 1988

à Grenoble I.N.P.G. .

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  • Résumé

    Le premier chapitre rappelle les generalites concernant le silicium amorphe, les transistors couches minces et leurs applications. Le chapitre 2 expose le principe et la theorie des mesures par courants thermostimules ainsi que le dispositif experimental necessaire pour realiser les mesures. Le chapitre 3 concerne les principales informations sur les etats localises du a-si:h obtenus apres mesures; en particulier les etats de queue de bandes de conduction et les etats associes aux liaisons pendantes. Dans le dernier chapitre, on s'interesse a la stabilite des transistors couches minces

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  • Détails : 1 vol. (167 p.)

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 88/INPG/0096
  • Bibliothèque : Phelma. Bibliothèque.
  • Disponible pour le PEB
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