Nouvelles méthodes de caractérisation et modèles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques

par Hisham S Haddara

Thèse de doctorat en Physique composants semiconducteurs

Sous la direction de Sorin Cristoloveanu.

Soutenue en 1988

à Grenoble I.N.P.G. .

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  • Résumé

    On etudie le transistor tmos a canal court a l'aide d'un simulateur bidimensionnel en tenant compte des inhomogeneites de l'interface. On presente ensuite une nouvelle methode d'extraction des parametres des transistors degrades. On propose une configuration nouvelle du transistor mos plus performante que les structures classiques. Une partie est consacree aux methodes de caracterisation de l'interface si-sio2. La derniere partie est relative au vieillissement des transistors mos ultra-courts en comparant les donnees theoriques obtenues par les methodes developpees au debut et les resultats experimentaux mesures sur des dispositifs.

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  • Détails : 1 vol. (168 p.)

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 88/INPG/0079
  • Bibliothèque : Phelma. Bibliothèque.
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