Préparation par décharge luminescente du silicium microcristallin non dopé et dopé (B et P) et contribution à l'étude de leurs propriétés électroniques et physico-chimiques

par Mohamed Abdennacer Hachicha

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Alain Deneuville.

Soutenue en 1988

à Grenoble 1 .

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  • Résumé

    Optimisation de la preparation a 350**(o)c par decharge luminescente multipolaire a 50 khz de couches minces de silicium microcristallin hydrogene, afin d'obtenir des fractions cristallines superieures a 90 % pour des tailles de grain de l'ordre de 200 a. Les proprietes electroniques des echantillons (absorption optique et phenomenes de transport) a ete correle aux resultats de mesures rx, microscopie electronique a balayage, diffusion raman et spectrometrie ir, rpe, s. I. M. S. Le materiau non dope, d'une teneur en hydrogene inferieure a 2 % contient moins de 10**(17) liaisons disponibles par cm**(3). L'introduction de gaz dopants dans la decharge provoque l'apparition d'une phase amorphe

  • Titre traduit

    Preparation, electronic and physico-chemical properties of pure or b or p doped microcrystalline silicon


  • Pas de résumé disponible.

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  • Détails : 1 vol. (188 p.)

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