Caractérisation d'oxynitrures de silicium par spectroscopie des électrons Auger associée à la pulvérisation ionique

Analysis of silicon oxinitride by auger electron spectroscopy combined with sputtering

• Auteur / Autrice : Jean-Pierre Segaud
• Direction : Etienne Blanc
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : [Physique de l'état condensé et cristallographie]
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble, Isère, France ; 1971-2015)

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Spectrometrie auger

Etude experimentale

Distribution concentration

Methode etude

Compose mineral

Couche mince

Microelectronique

Pulverisation faisceau ionique

Silicium oxynitrure

Auger electron spectrometry

Experimental study

Concentration distribution

Investigation method

Inorganic compound

Thin film

Microelectronics

Ion beam sputtering

Silicon nitrides oxides

Résumé

Un ensemble d'analyse de la composition chimique en profondeur par spectroscopie des electrons auger associee a la pulverisation ionique a ete developpe afin de pouvoir caracteriser rapidement de nombreux echantillons et d'etre ainsi en prise directe avec la technologie microelectronique. En optimisant les conditions experimentales de mise en oeuvre des faisceaux ionique et electronique, cette technique a permis de realiser une analyse physico-chimique quantitative de composes d'oxynitrure de silicium. Elle est de plus caracterisee par une bonne resolution en profondeur (environ 30 a) et une vitesse d'erosion tout a fait a l'etude de couches tres minces