Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors silicium sur saphir

par Eric Mazaleyrat

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Alain Deneuville.

Soutenue en 1988

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Pas de résumé disponible.


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Le travail est consacre a l'etude des dispositifs mos au substrat isolant. Apres une analyse des avantages et inconvenients de cette technologie par rapport a celles sur substrat massif, l'auteur etudie a l'aide de simulateurs numeriques, le comportement interne de la structure a desertion profonde. Une comparaison entre le soi de type simox et le sos est developpee. La comprehension des mecanismes physiques entrant en jeu dans les diodes controllees par grille, permet d'elaborer un modele precis de transistor mos

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 79 f., [41] f. d'ill
  • Annexes : 81 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 88/GRE1/0032
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.