Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors silicium sur saphir

Contribution to modeling of silicon-on-insulator mos transistors : application to silicon on sapphire mos transistors

• Auteur / Autrice : Eric Mazaleyrat
• Direction : Alain Deneuville
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble, Isère, France ; 1971-2015)

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Transistor effet champ

Transistor mos

Technologie silicium sur isolant

Modelisation

Simulation numerique

Etude comparative

Technologie silicium sur saphir

Field effect transistor

Mos transistor

Silicon on insulator technology

Modeling

Digital simulation

Comparative study

Silicon on sapphire technology

Résumé

Le travail est consacre a l'etude des dispositifs mos au substrat isolant. Apres une analyse des avantages et inconvenients de cette technologie par rapport a celles sur substrat massif, l'auteur etudie a l'aide de simulateurs numeriques, le comportement interne de la structure a desertion profonde. Une comparaison entre le soi de type simox et le sos est developpee. La comprehension des mecanismes physiques entrant en jeu dans les diodes controllees par grille, permet d'elaborer un modele precis de transistor mos