Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors silicium sur saphir
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Auteur / Autrice : | Eric Mazaleyrat |
Direction : | Alain Deneuville |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1988 |
Etablissement(s) : | Université Joseph Fourier (Grenoble, Isère, France ; 1971-2015) |
Mots clés
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Mots clés libres
Sciences appliquees
Electronique
Transistor effet champ
Transistor mos
Technologie silicium sur isolant
Modelisation
Simulation numerique
Etude comparative
Technologie silicium sur saphir
Field effect transistor
Mos transistor
Silicon on insulator technology
Modeling
Digital simulation
Comparative study
Silicon on sapphire technology
Résumé
FR
Le travail est consacre a l'etude des dispositifs mos au substrat isolant. Apres une analyse des avantages et inconvenients de cette technologie par rapport a celles sur substrat massif, l'auteur etudie a l'aide de simulateurs numeriques, le comportement interne de la structure a desertion profonde. Une comparaison entre le soi de type simox et le sos est developpee. La comprehension des mecanismes physiques entrant en jeu dans les diodes controllees par grille, permet d'elaborer un modele precis de transistor mos