Propriétés de transport électronique dans les hétérostructures métal/semiconducteur

par Pierre-Antoine Badoz

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean-Claude Pfister.

Soutenue en 1988

à Grenoble 1 .

mots clés

• Sciences appliquees
• Electronique
• Heterojonction
• Contact metal semiconducteur
• Diode barriere schottky
• Propriete transport
• Transfert electron
• Cobalt siliciure
• Couche mince
• Etat electronique interface
• Propriete electronique
• Supraconductivite
• Effet hall
• Heterojunction
• Semiconductor metal contact
• Schottky barrier diode
• Transport properties
• Electron transfer
• Cobalt silicides
• Thin film
• Interface electron state
• Electronic properties
• Superconductivity
• Hall effect

Résumé

Le travail porte principalement sur l'etude des proprietes de transport electronique dans les films metalliques ultraminces de cosi::(2) (10 a 20 angstroems) epitaxies sur du silicium. Les principaux points abordes concernent: le transport perpendiculaire, le transport parallele aux interfaces, les proprietes electroniques des siliciures

Titre traduit

Electronic transport properties in metal semiconductor heterostructures

Pas de résumé disponible.