Uniquement les thèses soutenues
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Propriétés de transport électronique dans les hétérostructures métal/semiconducteur
par Pierre-Antoine Badoz
Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Jean-Claude Pfister.
Soutenue en 1988
à Grenoble 1 .
- Sciences appliquees
- Electronique
- Heterojonction
- Contact metal semiconducteur
- Diode barriere schottky
- Propriete transport
- Transfert electron
- Cobalt siliciure
- Couche mince
- Etat electronique interface
- Propriete electronique
- Supraconductivite
- Effet hall
- Heterojunction
- Semiconductor metal contact
- Schottky barrier diode
- Transport properties
- Electron transfer
- Cobalt silicides
- Thin film
- Interface electron state
- Electronic properties
- Superconductivity
- Hall effect
mots clés
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Résumé
Le travail porte principalement sur l'etude des proprietes de transport electronique dans les films metalliques ultraminces de cosi::(2) (10 a 20 angstroems) epitaxies sur du silicium. Les principaux points abordes concernent: le transport perpendiculaire, le transport parallele aux interfaces, les proprietes electroniques des siliciures
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Titre traduit
Electronic transport properties in metal semiconductor heterostructures
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Pas de résumé disponible.
