Elaboration et caractérisation de transistors MISFET sur InP

par Bruno Commère

Thèse de doctorat en Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Stanislaw Krawczyk.


  • Résumé

    Cette these concerne la passivation de l'interface isolant/inp dans les structures mis et le developpement d'un procede de fabrication de transistor misfet sur inp. Les structures sin h/inp ont ete fabriquees par pecvd avec un plasma enrichi en arsine. Un procede de fabrication de transistors misfet-canal n a enrichissement a ete realise. L'imagerie de photoluminescence a ete utilise de facon systematique comme outil de controle de fabrication pour optimiser certaines etapes critiques (recuit d'implantation, gravures) et pour tester l'uniformite et la reproductibilite des operations technologiques

  • Titre traduit

    Fabrication and characterization of inp misfet


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  • Détails : 1 vol. (207 p.)

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T1338
  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
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