Etude de l'uniformité des sufaces des semiconductuers II-V par imagerie de photoluminescence

Measurement of the uniformity of the iii-v compound semiconductor surfaces by photoluminescence imaging

• Auteur / Autrice : Christian Lallemand
• Direction : Stanislaw Krawczyk
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Ecully, Ecole centrale de Lyon
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (Ecully, Rhône)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Silicium

Traitements de surface

Photoluminescence

Semiconducteurs

Résumé

Un systeme d'imagerie de photoluminescence a temperature ambiante a ete developpe pour caracteriser les surfaces des semiconducteurs iii-v et leurs derives ternaires en vue de s'assurer de la fiabilite en fabrication des circuits lsi. Le systeme permet la mesure rapide de plaquettes de faible surface avec une resolution maximale de l'ordre du micron et est valable pour des materiaux a faible photoluminescence (pl). Etude sur le gaas et l'inp. Application a des transistors mis sur inp. On montre la correlation entre l'augmentation de l'intensite pl et l'amelioration des caracteristiques electriques des structures