Etude de l'uniformité des sufaces des semiconductuers II-V par imagerie de photoluminescence

par Christian Lallemand

Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Stanislaw Krawczyk.

Soutenue en 1988

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon .


  • Résumé

    Un systeme d'imagerie de photoluminescence a temperature ambiante a ete developpe pour caracteriser les surfaces des semiconducteurs iii-v et leurs derives ternaires en vue de s'assurer de la fiabilite en fabrication des circuits lsi. Le systeme permet la mesure rapide de plaquettes de faible surface avec une resolution maximale de l'ordre du micron et est valable pour des materiaux a faible photoluminescence (pl). Etude sur le gaas et l'inp. Application a des transistors mis sur inp. On montre la correlation entre l'augmentation de l'intensite pl et l'amelioration des caracteristiques electriques des structures


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Informations

  • Détails : 1 vol. (166 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 120 réf.

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T1331
  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
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