Influence de divers additifs ou impuretés, principalement l'aluminium, sur les conditions de formation du compose Cu3Si au cours de la réaction du silicium avec le chlorure cuivreux : rôle de l'épaisseur de la couche de silice sur la réactivité d’une face (100) du silicium

par Dominique Viale

Thèse de doctorat en Sciences. Chimie - Physique

Sous la direction de Bernard Gillot.

Soutenue en 1988

à Dijon .


  • Résumé

    L’étude des conditions de formation du composé Cu3Si au cours de la réaction d'une face Si(100) avec le chlorure cuivreux gazeux ou liquide, ou lors de la réaction d'un mélange en poudre de silicium avec le chlorure cuivreux, a montré que l'aluminium en impureté dans le silicium, ou ajoute sous forme de chlorure à CuCl, accélère la formation de Cu3Si. De plus, le fer combiné à l’aluminium ralentit la transformation de Cu3Si en cuivre, ce qui a pour effet de maintenir une fraction massique de Cu3Si élevé tout au long de la réaction. La silice toujours présente à la surface des monocristaux de silicium joue un rôle déterminant sur la germination du composé Cu3Si, qui s’effectue par l’intermédiaire des défauts de cette couche protectrice. Une diminution de l’épaisseur de la couche de silice accélère la germination de Cu3Si

  • Titre traduit

    Effects of some additives and impurities, mainly aluminium, of Cu3Si compound formation during silicon-copper chloride reaction : influence of silica layer thickness on the reactivity


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Informations

  • Détails : 187 p.
  • Annexes : Notes bibliographiques

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  • Bibliothèque : Université de Bourgogne. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TDDIJON/1988/41
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