Analyses quantitatives par sem/ebic des defauts recombinants dans les semiconducteurs polycristallins : influence des traitements thermiques sur l'activite electrique des bicristaux de silicium

par Ahmed Ihlal

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean-Louis Chermant.

Soutenue en 1988

à Caen .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Etude quantitative , par la methode ebic, de la recombinaison des porteurs minoritaires dans des bicristaux de silicium en fonction des traitements thermiques, entre 450 et 950**(o)c. Un developpement des phenomenes physiques regissant la creation de differentes theories conduisant au traitement quantitatif du signal ebic est presente. Selon le traitement thermique, le contraste des deux types de joints de grains evolue avec la temperature: vitese de recombinaison et longueur de diffusion varient avec la temperature de recuit


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 179 P.
  • Annexes : 196 REF

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université de Caen Normandie. Bibliothèque Rosalind Franklin (Sciences-STAPS).
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.