Elaboration et caractérisation des siliciures utilisés comme matériaux de grille ou d'interconnexion dans les circuits VLSI

par Isabelle Lombaert

Thèse de doctorat en Sciences

Sous la direction de YVES DANTO.

Soutenue en 1988

à Bordeaux 1 .

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  • Résumé

    La reduction des dimensions des motifs dans les circuits vlsi a entraine le remplacement partiel du silicium polycristallin utilise comme materiau de grille par des siliciures de metaux refractaires ou de transition, qui sont moins resistifs. Une etude approfondie a ete effectuee sur la resolution en profondeur de la technique rbs, qui est une methode tres adaptee a la caracterisation des siliciures. Ensuite, des analyses comparatives de construction ont ete realisees sur plusieurs memoires dram comportant un siliciure. Le siliciure de titane, tisi2, a ete elabore par trois differentes techniques et les proprietes physico-chimiques de ces couches ont ete comparees. Des resistivites de l'ordre de 13-16 micro-ohms centimetres ont ete obtenues par ces methodes de depot suivies d'un recuit rapide

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  • Bibliothèque : Université de Bordeaux. Direction de la Documentation. Bibliothèque Sciences et Techniques.
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  • Cote : FT 88.B-238
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  • Cote : FTR 88.B-238
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