Influence de recuit à 425o C sur des propriétés électriques du silicium polycristallin : action d'une interface aluminium-silicium

par Claude Zurletto

Thèse de doctorat en Matériaux et composants

Sous la direction de Santo Martinuzzi.


  • Résumé

    Analyse des longueurs de diffusion des porteurs minoritaires dans si. Des recuits a 425#oc pendant quelques heures augmentent la longueur de diffusion de 20 a 30 m tant que les valeurs initiales sont inferieures a 60 m. Les effets sont plus marques lorsqu'une couche d'aluminium est prealablement deposee sur la face arriere des echantillons ou lorsque les echantillons sont soumis a une diffusion superficielle de phosphore. Explication des resultats par l'interaction entre atomes d'oxygene dissous, impuretes metalliques, interstitiels de si et defauts (dislocations)


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Informations

  • Détails : 153 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Notes bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 1420
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