Caractérisation, passivation et modélisation de l'influence de défauts cristallographiques sur les propriétés de jonctions N+P

par Hassan El Ghitani

Thèse de doctorat en Matériaux et composants

Sous la direction de Santo Martinuzzi.

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  • Résumé

    Les auteurs se sont particulierement interesses aux dislocations dans le polycristal de silicium et ils ont developpe un modele theorique pour traduire leur influence en terme de densite et d'activite recombinante sur les proprietes electriques du polysilicium. Un autre modele a ete developpe pour calculer le profit photoelectrique et la vitesse de recombinaison interfaciale aux joints de grains. On compare les resultats des modeles sur les resultats experimentaux obtenus sur des diodes mesas pn net des diodes semitransparentes cr-si. Application aussi a la passivation de photopiles solaires par l'hydrogene qui s'interprete facilement avec le modele


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Informations

  • Détails : 161 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Notes Bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 1324
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