Heteroepitaxie par jets moeculaires : systeme (ca,sr)f::(2) - gaas

par Chantal Fontaine

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Antonio Muñoz Yagüe.

Soutenue en 1987

à Toulouse 3 .

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  • Résumé

    Dans la premiere partie du memoire sont etudies les mecanismes de formation de defauts pendant la croissance cristalline, les contraintes s'exercant sur les couches heteroepitaxiales, la possibilite de relaxation de ces contraintes par creation de defauts ainsi que les solutions pratiques envisagees pour eliminer ces defauts. Dans la seconde partie sont presentes et analyses les resultats experimentaux obtenus sur les structures (ca,sr)f::(2)/gaas et gaas/(ca,sr)f::(2) realisees par epitaxie par jets moleculaires. Sont consideres les proprietes des interfaces, les relations d'epitaxie, les mecanismes de croissance et les contraintes. Finalement, sont discutees les applications potentielles de ce type de structures et leur compatibilite avec les proprietes optiques et electriques des deux materiaux elabores


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Informations

  • Détails : 250 P.
  • Annexes : 339 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1987TOU30135
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