Contribution a l'etude "in situ" du glissement et de la montee des dislocations dans un compose semiconducteur (3/5) : insb

par Mustapha Fnaiech

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Bernard Jouffrey.

Soutenue en 1987

à Toulouse 3 .

mots clés

Résumé

La these se compose de deux parties : etude du glissement des dislocations dans insb et etude de leur montee sous irradiation aux electrons. Le glissement est etudie par microscopie electronique. Mesure de la vitesse des dislocations et de la contrainte locale et comparaison avec les resultats obtenus par d'autres methodes. D'autre part, observation de l'apparition et de la croissance de defauts sous irradiation des electrons de 1 mev, dans un microscope a haute tension

Titre traduit

"in situ" study contribution to the glide and climb of dislocations in a (3/5) compound semiconducteur : insb

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