Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Bernard Jouffrey.
Soutenue en 1987
à Toulouse 3 .
La these se compose de deux parties : etude du glissement des dislocations dans insb et etude de leur montee sous irradiation aux electrons. Le glissement est etudie par microscopie electronique. Mesure de la vitesse des dislocations et de la contrainte locale et comparaison avec les resultats obtenus par d'autres methodes. D'autre part, observation de l'apparition et de la croissance de defauts sous irradiation des electrons de 1 mev, dans un microscope a haute tension
"in situ" study contribution to the glide and climb of dislocations in a (3/5) compound semiconducteur : insb
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