Etude de la neutralisation du bore et de certaines impuretes metalliques (or, titane, manganese, chrome) par implantation d'hydrogene dans le silicium monocristallin

par Thierry Zundel

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Paul Siffert.

Soutenue en 1987

à Strasbourg 1 .

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  • Résumé

    L'hydrogene implante dans si:b, entre 80 et 140**(o)c neutralise le dopant par formation d'un complexe bh electriquement inactif. Etude des conditions d'incorporation de l'hydrogene et du processus de reactivation du dopant. Effet du traitement d'hydrogenation sur les niveaux d'energie des impuretes. Effet d'un recuit thermique a 495**(o)c


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  • Détails : 122 P.
  • Annexes : 96 REF

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