Conception et mise au point d'un analyseur hemispherique en vue de spectroscopies d'electrons resolues angulairement : caracterisation d'interfaces si/sio::(2) et si/sio::(x)n::(y) obtenues par implantation ionique a faible energie

par Ouahab Benkherourou

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de CHARLES BURGGRAF et de Jean-Paul Deville.

Soutenue en 1987

à Strasbourg 1 .

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  • Résumé

    Dans la region interfaciale, on retrouve toutes les configurations possibles de liaisons autour du tetraedre de si. Les profils de concentration de ces especes different selon que l'on fait l'oxydation ou l'oxynitruration. La distribution de ces especes a l'interface suit le modele theorique r. B. M. (random bonding model). Ce modele permet de comprendre la morphologie de l'interface et donc d'etablir la nature des liaisons chimiques entre les differents atomes (si-o-si et si-n-si)

  • Titre traduit

    Design of an hemispherical analyser for angular-resolved electron spectroscopies : characterization of si/sio::(2) and si/sio::(x) ny interfaces obtained by low-energy ion implantation


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Informations

  • Détails : 110 P.
  • Annexes : 114 REF

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  • Bibliothèque : Université de Strasbourg. Service commun de la documentation. Bibliothèque Danièle Huet-Weiller.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : Th.Strbg.Sc.1987;516
  • Bibliothèque : Université de Strasbourg. Service commun de la documentation. Bibliothèque Danièle Huet-Weiller.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : H 503.000,1987
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