Epitaxie "par jets moleculaires sur gaas des composes du rhodium rh2 : :(a)s et rhga"

par MARINETTE SECOUE

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de PATRICK AUVRAY.

Soutenue en 1987

à Rennes 1 .

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  • Résumé

    Deposition dans un bati d'epitaxie par jet moleculaire de rh::(2) as sur ga as. Rh::(2) as peut etre obtenu en couche mince, mais l'epitaxie n'est pas realisee selon les directions souhaitees et le compose n'est pas thermiquement stable jusqu'a 600c. Etude du diagramme ternaire rh-ga-asd afin de trouver un compose thermiquement stable. Le compose rh ga apparait stable jusqu'a 600c, il a donc ete depose sur ga as. L'accord de maille n'est cependant pas suffisamment bon pour permettre d'envisager une reepitaxie de bonne qualite du gaas sur rhga


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Informations

  • Détails : 1 vol. (non paginé)
  • Annexes : 93 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Rennes I. Service commun de la documentation. Section sciences et philosophie.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TA RENNES 1987/57
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