Modélisation de transistors polysilicium en couches minces sur isolants : conception et réalisation d'écrans plats à cristaux liquides et matrices actives

par Patrick Sangouard

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de René Castagné.

Soutenue en 1987

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .

Le président du jury était René Castagné.

Le jury était composé de René Castagné, François Baillieu, Mr. Boissier, Mr. Loisel, Mr. Gentil.


  • Résumé

    Modélisation de transistors et de capacités polysilicium en couches minces sur isolant. Expression de la tension de seuil, du courant de seuil, du courant au-dessus du seuil, du courant en régime sature, de la résistance du film. Conception et réalisation d'écrans plats à matrice active. Mise au point de plusieurs technologies permettant un fonctionnement 109 normes militaires. Mise au point d'une technique permettant l'obtention de transistors polysilicium en deux étapes de photogravure. Cette technologie améliore considérablement le rendement de fabrication des écrans plats

  • Titre traduit

    Polysilicon on insulator thin film transistor modelization design and implementation of liquid crystal and active matrix flat screens


  • Pas de résumé disponible.

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La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (166 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 161-166

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1987)461
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-034849
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