Le transistor bipolaire à hétérojonction InGaAs : étude Monte-Carlo des phénomènes de transport non-stationnaires et réalisation technologique

par Jean-Luc Pelouard

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de René Castagné.

Soutenue en 1987

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .

Le président du jury était René Castagné.

Le jury était composé de René Castagné.


  • Résumé

    Les phénomènes de transport non-stationnaires sont importants dans les Transistors Bi à Hétérojonctions abruptes. Des simulations à l'aide d'an modèle particulaire de Monte-Carlo nous ont permis d'établir l'existence d'un courant thermoïnique à travers l'hétérojonction émetteur-base et de deux populations électroniques dans la base: une quasi-balistique et l’autre «relaxée en. Vitesse». Le «Spike» de l’hétérojonction abrupte base-collecteur opère une collection sélective des électrons ayant une vitesse orthogonale suffisante pour franchir cette barrière. A partir d'empilements GaAlInAs/GaInAs/GaAlInAs épitaxiés par jets moléculaires des Transistors Bipolaires à Hétérojonctions ont été réalisés avec des techniques d’isolation par double mesa. L'insertion d'espaceurs dans la jonction base-collecteur et émetteur-base améliore le comportement statique des transistors (gain supérieur à 1200) tout en préservant le caractère abrupte des hétérojonctions. Un modèle analytique a été développé pour réaliser le calcul rapide des caractéristiques du transistor. Il est en bon accord avec à la fois les résultats de la simulation Monte-Carlo et ceux de l'expérience. Les résultats de cette étude montrent le grand intérêt porté au Transistor Bipolaire à Hétérojonction qui dans le système InP/GaInAs devrait fournir dispositif très rapide pour l'optoélectronique à 1, 6 micromètre.

  • Titre traduit

    InGaAs heterojunction bipolar transistor : non-stationary transport phenomenon Monte-Carlo study and technological implementation


  • Pas de résumé disponible.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (203 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 193-197

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1987)440
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-034776
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