Croissance et structure de couches minces nanocristallines de silicium et de germanium déposées à l'aide de décharges luminescentes

par Christian Godet

Thèse de doctorat en Sciences physiques

Sous la direction de Bernard Drévillon.

Soutenue en 1987

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Caractérisation de couches minces si et ge nanocristallines (microcristallines) déposées à l'aide de décharges luminescentes dans les mélanges (sih::(4), h::(2)) et (geh::(4), h::(2)). Le choix de h::(2) comme gaz porteur et le contrôle de la polarisation des supports permettent d'étudier deux types d'interaction à l'interface plasma solide : la gravure préférentielle de la phase amorphe résiduelle par l'hydrogène atomique et le bombardement de la surface par les ions positifs. Étude de l'histoire (germination et croissance) les films par ellipsométrie spectroscopique in-situ et conclusions qui peuvent en être tirées

  • Titre traduit

    Growth and structure of glow-discharge deposited silicon and germanium monocrystalline thin films


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Informations

  • Détails : 1 vol. (373 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. f. 373 (316 réf.)

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  • Cote : 0g ORSAY(1987)423
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