Etude du recuit thermique rapide des defauts d'implantation dans le silicium : epitaxie en phase solide et guerison des imperfections residuelles

par OLUSEYI ADEKOYA

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Paul Siffert.

Soutenue en 1987

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Etude de l'activation electrique des dopants (donneur p; accepteur b) et de l'elimination des defauts residuels dans si monocristallin par recristallisation epitaxique des couches, amorphisees par implantation ionique, et par recuit thermique rapide. Controle de la qualite des couches par retrodiffusion de rutherford et microscopie electronique en transmission et de l'elimination des defauts residuels par la methode dlts (niveau profond a 0,55 ev de la bande de valence). Confirmation de cette elimination des defauts par recuit thermique rapide apres fusion laser de si, avant et apres implantation ionique. Analyse du role electrique des defauts (contraintes thermoelastiques, association impurete-defaut primaire) dans si n, non implante, par des mesures dlts, capacite tension et courant-tension; reduction de leur concentration par depot d'une fine couche d'oxyde


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 290 P.
  • Annexes : 150 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1987
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.