Mecanismes de croissance et de constitution d'interfaces dans les couches minces de semiconducteurs amorphes hydrogenes etudies par ellipsometrie spectroscopique in situ

par ANNE-MARIE ANTOINE

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Bernard Drévillon.

Soutenue en 1987

à Paris 7 .

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  • Résumé

    Etude de la croissance de couches minces de silicium, germanium et d'alliages silicium-germanium amorphes hydrogenes deposees par decomposition radiofrequence de silane, germane et d'hydrogene. Etude des mecanismes d'initiation de la couche en fonction des conditions de preparation. Analyse de l'influence de la nature du support sur le depot des premieres couches monomoleculaires


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Informations

  • Détails : 230 P.
  • Annexes : 97 REF

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  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
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  • Cote : TS1987
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