Etude optique et electrique de silicium jusqu'a 18 gigapascals : cristallogenese et caracterisation des phases silicium trois et silicium quatre stables a l'ambiante

par El Hassane Mokhtari

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean-Michel Besson.

Soutenue en 1987

à Paris 7 .

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  • Résumé

    Sept structures cristallines du silicium ont ete identifiees jusqu'a 50 gigapascals. La phase cubique diamant n'est pas stable au-dessus de 9,3 gigapascals. Dans les conditions hydrostatiques, il se transforme dans la structure de l'etain blanc avec un hysteresis considerable. La presence de contraintes reduit la pression de transition et favorise l'apparition de la structure cubique centree. Le silicium cubique centre pur en echantillon desordonne a ete obtenu apres pressurisation du silicon a 18 gigapascals, ses proprietes electriques ont ete mesuree pour la premiere fois. La phase cubique centree se transforme dans la structure hexagonale diamant au-dessus de 500 k et a pression ambiante


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Informations

  • Détails : 113 P.
  • Annexes : 35 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1987
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