Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Claude Sébenne.
Soutenue en 1987
à Paris 7 .
Etude des proprietes d'interface de la face (100) de si: (1) proprietes atomiques (cristallographie de surface), (2) proprietes electroniques (etats de surface. . . ). La premiere partie concerne la surface "propre": etude de l'effet de la temperature de chauffage de la surface. La seconde partie concerne l'etude de l'adsorption de l'oxygene sur si(100). La derniere partie traite de l'adsorption metallique sur si(100): etude des systemes ga/si(100), ir/si(100) et sn/si(100)
Study of the silicon (100) surface
Pas de résumé disponible.