Etude de la face (100) du silicium

par Ikoto Andriamanantenasoa

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Claude Sébenne.

Soutenue en 1987

à Paris 7 .

mots clés

Résumé

Etude des proprietes d'interface de la face (100) de si: (1) proprietes atomiques (cristallographie de surface), (2) proprietes electroniques (etats de surface. . . ). La premiere partie concerne la surface "propre": etude de l'effet de la temperature de chauffage de la surface. La seconde partie concerne l'etude de l'adsorption de l'oxygene sur si(100). La derniere partie traite de l'adsorption metallique sur si(100): etude des systemes ga/si(100), ir/si(100) et sn/si(100)

Titre traduit

Study of the silicon (100) surface

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