Analyse et optimisation des performances frequentielles du transistor bipolaire a heterojonction gaalas/gaas

par Christian Gérard

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Georges Alquié.

Soutenue en 1987

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail presente la modelisation et la conception de transistors bipolaires a heterojonction gaalas/gaas dont les performances frequentielles ont ete optimisees pour applications en microondes. Une modelisation a ete effectuee pour prendre en compte tous les elements parasites qui limitent les performances de ce type de dispositif tant du point de vue de la frequence de coupure que de la frequence maximale d'oscillation. Une exploitation systematique du modele, a l'aide de logiciels de simulation, permet de trouver les dimensionnements optimaux du transistor en tenant compte de l'etat de l'art technologique actuel. Un jeu de masques est presente qui permet la realisation de 36 transistors differents avec 3 technologies possibles. Les premiers resultats partiels obtenus avec ce jeu de masques montrent que, meme avec une structure de couches non optimale, les frequences maximales atteintes depassent les 20 ghz avec des dimensions largement superieures au micron


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Informations

  • Annexes : 83 REF

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1987
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