Le moteur de recherche
des thèses françaises
'%3e%3cpath%20style='fill:%2300a0dc;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:.144606;stroke-opacity:1;stop-color:%23000'%20d='M41.8%20100.088H52.28c.46%200%20.831.421.831.945v10.25c0%20.524-.37.946-.831.946H41.8c-.46%200-.831-.422-.831-.945v-10.251c0-.524.37-.945.831-.945z'/%3e%3cpath%20d='m47.072%20102.02-4.87%202.656%204.87%202.657%203.985-2.174v3.06h.885v-3.543m-7.969%201.851v1.771l3.1%201.691%203.098-1.691v-1.77l-3.099%201.69z'%20style='fill:%23fff;fill-opacity:1;stroke-width:.442726'/%3e%3ccircle%20style='fill:%23009f1d;fill-opacity:1;stroke:%23fff;stroke-width:.379704;stroke-linecap:round;stroke-linejoin:round;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1;stop-color:%23000'%20cx='54.151'%20cy='101.224'%20r='3.451'/%3e%3cpath%20d='m55.669%2099.387.659.664-3.075%203.104-1.634-1.649.66-.663.974.979%202.416-2.435'%20style='fill:%23fff;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:.30061;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1'/%3e%3c/g%3e%3c/svg%3e)
Etude des proprietes optiques de semi-conducteurs composes iii-v et de puits quantiques par photoluminescence et excitation de la photoluminescence
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Didier Moroni |
| Direction : | MICHEL VOSS |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Physique |
| Date : | Soutenance en 1987 |
| Etablissement(s) : | Paris 6 |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes electriques, magnetiques, optiques
Etude experimentale
Propriete optique
Photoluminescence
Spectre excitation
Recombinaison porteur charge
Piegeage porteur charge
Puits quantique
Epaisseur
Diffusion mutuelle
Tres basse temperature
Basse temperature
Recuit thermique
Compose mineral
Semiconducteur
Compose iii-v
Couche epitaxique
Aluminium gallium arseniure mixte
Gallium arseniure
Gallium indium arseniure mixte
Gallium indium phosphure mixte
Indium phosphure
Support inp
Support gaas
Experimental study
Optical properties
Photoluminescence
Excitation spectrum
Charge carrier recombination
Charge carrier trapping
Quantum well
Thickness
Interdiffusion
Very low temperature
Low temperature
Thermal annealing
Inorganic compound
Semiconductor materials
Iii-v compound
Epitaxial film
Aluminium gallium arsenides mixed
Gallium arsenides
Gallium indium arsenides mixed
Gallium indium phosphides mixed
Indium phosphides
Résumé
FR
Identification des types de recombinaison entre 2 et 300k dans les couches epaisses de gainas et gainp epitaxiees sur leur support respectif inp et gaas. Etude de l'origine de la luminescence et variation en fonction de l'epaisseur du taux de capture des porteurs de la barriere dans les puits quantiques ingaas/inp. Determination du coefficient d'interdiffusion de al et ga aux interfaces dans les puits quantiques gaas/gaalas