Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes ga : :(x)in::(1-x)as::(y)p::(1-y) obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques

Contribution to the study of physical properties of ga::(x)in::(1-x)as::(y)p::(1-y) coumpounds grown by metalorganic chemical deposition

• Auteur / Autrice : Philippe Maurel
• Direction : Julien Bok
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Paris 6

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes electriques, magnetiques, optiques

Etude experimentale

Propriete physique

Propriete electrique

Propriete optique

Effet hall quantique

Phenomene transport

Heterojonction

Puits quantique multiple

Luminescence

Basse temperature

Preparation

Depot chimique phase vapeur

Compose organometallique

Compose mineral

Semiconducteur

Solution solide

Composition chimique

Gallium indium phosphoarseniure mixte

Indium phosphure

Dopage module

Experimental study

Physical properties

Electrical properties

Optical properties

Quantum hall effect

Transport process

Heterojunction

Multiple quantum well

Luminescence

Low temperature

Preparation

Chemical vapor deposition

Organometallic compound

Inorganic compound

Semiconductor materials

Solid solution

Chemical composition

Gallium indium arsenides phosphides mixed

Indium phosphides

Modulation doping

Résumé

Etude des proprietes electriques et optiques a basse temperature dans inp de haute purete. Observation de l'effet hall quantique par etude detaillee de proprietes de transport des porteurs bidimensionnels a l'heterojoncion, a dopage module de type p ou n dans inp/ga::(0,47) in::(0,53) as et inp/ga::(0,25) in::(0,75) as::(0,5) p::(0,5). Etude des proprietes structurelles et optiques des puits quantiques multiples inp/ga::(0,47) in::(0,53) as