Etude de la formation par epitaxie par jets moleculaires des interfaces entre inas et gaas

par Claire Guille

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de FRANCOISE HOUZAY.

Soutenue en 1987

à Paris 6 .

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  • Résumé

    Malgre le fort desaccord parametrique existant entre gaas et inas (7,2%), il est possible de realiser des couches pseudomorphes de l'un des materiaux sur l'autre, en se limitant a des couches d'epaisseurs inferieures a une dizaine d'a. Dans ces conditions,l'interface inas/gaas est plane et chimiquement abrupte, a la demi-couche pres. L'interface inverse est diffuse et rugueuse a l'echelle atomique. Au cours de la formulation de cette heterojonction, il y a segregation d'in en surface et formation d'un compose ternaire. Ce type de phenomene de segregation d'in se produit egalement dans les composes ternaires ingaas et peut etre a l'origine de leur rugosite superficielle. Etude comparative avec d'autres systemes iii-as


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Informations

  • Détails : 233 P.
  • Annexes : 91 REF

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1987
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